Módulo semiconductor de potencia en formato Half-Bridge
La evolución de la electrónica industrial exige componentes capaces de manejar tensiones elevadas con una huella física compacta. Este dispositivo cumple con los estándares europeos de montaje, integrando dos transistores listos para configurarse como inversor de fase en sistemas de alimentación ininterrumpida.
Análisis detallado de la estructura eléctrica
Eficiencia en conmutación de alta frecuencia
El diseño de este semiconductor permite trabajar en frecuencias elevadas sin generar ruido electromagnético excesivo. Esto beneficia directamente a los filtros de salida del sistema, reduciendo el tamaño necesario de las bobinas y condensadores asociados.
- Conducción simétrica: Equilibrio de carga perfecto entre ambos canales del módulo.
- Encapsulado hermético: Protección contra la humedad y el polvo ambiental de las fábricas.
- Pines reforzados: Conexión sólida que tolera deformaciones térmicas extremas.
Métricas del sistema electrónico
| Elemento clave | Valor medido |
|---|---|
| Código de producto | SKM100GB176D |
| Tensión Colector-Emisor | 1700 V |
| Corriente máxima de pulso | 200 A |